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Plasma Process Cluster 多腔等離子體工藝系統(tǒng)

簡要描述：l方案是適用于8吋晶圓的多腔等離子體沉積/刻蝕工藝系統(tǒng)l系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)l系統(tǒng)兼容8吋、6吋、4吋、3吋晶圓和不規(guī)則碎片

基礎(chǔ)信息

產(chǎn)品型號

廠商性質(zhì)

代理商

更新時間

2024-10-22

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詳細(xì)介紹

l   方案是適用于 8 吋晶圓的多腔等離子體沉積/刻蝕工藝系統(tǒng)

l   系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)

l   系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規(guī)則碎片；不同尺寸樣片之間的切換、無需反應(yīng)腔的開腔破真空

l   系統(tǒng)包括：

一個六端口的轉(zhuǎn)接腔、帶機械手

六個端口分別連接：

（1）一個 ALE 刻蝕腔模塊：用于 Al2O3, AlGaN, GaN 等的原子層刻蝕

（2）一個ICPECVD 沉積腔模塊：用于沉積氧化硅、氮化硅、氮氧硅等介質(zhì)膜

（3）一個低溫 ICP-RIE 刻蝕腔模塊：配氟基氣體，主要用于低溫深硅刻蝕、常溫鍺刻蝕等

（4）一個 loadlock 預(yù)真空室模塊：用于單片樣品的手動送樣

（5）一個真空片盒站模塊：用于多片片盒的自動送樣

（6）一個端口備用，未來可升級增加 1 個刻蝕或沉積反應(yīng)腔模塊


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