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電子束光刻系統(tǒng)

簡要描述：v最小線寬≤8nm光柵周期≤40nmv拼接精度：100μm寫場下

基礎(chǔ)信息

產(chǎn)品型號

廠商性質(zhì)

代理商

更新時間

2024-10-22

瀏覽次數(shù)

114
詳細介紹

v 最小線寬≤8nm    光柵周期≤40nm

v 拼接精度：

100μm寫場下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma

500μm寫場下，拼接精度≤30nm【mean】+3sigma

v 套刻精度：

100μm寫場下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma

500μm寫場下，拼接精度≤25nm【mean】+3sigma

v 束電流穩(wěn)定性＜0.2%/h   束位置穩(wěn)定性＜120nm/8h

v 50KV加速電壓下，寫場可在0.5μm~500μm的范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)

v 肖特基熱場發(fā)射電子束源，加速電壓≥50kv，束電流范圍至少為50pA~40nA，束電流≥40nA

v 圖像發(fā)生器掃描頻率≥50MHz，20bit分辨率，最小步距為0.5nm

v 通用樣品架可承載散片，4inch以下的襯底，4inch專用晶圓專用樣品架，6inch專用晶圓專用樣品架，多樣品專用樣品架


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