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v 兼容200mm以下所有尺寸的晶圓，快速更換到不同尺寸的晶圓工藝
v 電極的適用溫度范圍寬，-150°C至400°C
v ICP源尺寸為65mm，180mm，300mm
v 應(yīng)用方向：
? III-V族材料的刻蝕工藝
? 固體激光器InP刻蝕
? VCSEL GaAs/AlGaAs刻蝕
? 射頻器件低損傷GaN刻蝕
? 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝
? 類金剛石（DLC）沉積
? 二氧化硅和石英刻蝕
? 用特殊配置的PlasmaPro FA設(shè)備進行失效分析的干法刻蝕解剖工藝，可處理封裝好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圓
? 沉積高質(zhì)量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜，用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化等諸多其它用途
? 用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕
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